金剛石膜化學沉積通常指等離子沉積實驗：
       制備的金剛石膜是1種有著等離子體化學氣相積累能力的工藝。由于薄膜金剛石在超硬維護涂層、光窗口、熱沉數(shù)據(jù)、微電子等方面也起著至關重要的作用，因而，當人類掌握了金剛石薄膜的制備技術，特別是單晶金剛石薄膜的制備技術后，依靠數(shù)據(jù)的前史就會由硅材料年代迅速進入金剛石年代。但現(xiàn)在對等離子沉積金剛石膜的機理尚不明白，特別是異質外延單晶金剛石膜，其困難之處在于：低溫等離子體處于熱不平衡狀態(tài)，所使用的反應氣體也是多原子分子，反應體系復雜，缺乏基本的數(shù)據(jù)支持。然而，經過20多年的理論和實驗研究，人們不僅發(fā)展了許多等離子體化學氣相沉積制備金剛石薄膜的工藝，而且通過對實驗數(shù)據(jù)的分析和總結，對影響金剛石薄膜生長的因素也有了一定的認識。對于多晶金剛石膜的生長，成核是關鍵，而影響成核的因素很多，包含等離子體條件、基質數(shù)據(jù)、溫度等。

        通過等離子沉積金剛石膜，首先要了解金剛石的成核過程，一般將其分為兩個階段：含碳基團到達基體表面，然后分散到基體內部；第二階段是到達基體表面的碳原子在基體表面上以缺陷、金剛石子晶等為中心的成核、生長。