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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

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伴隨5g時(shí)代的半導(dǎo)體材料和電漿清洗機(jī)工藝發(fā)展,對(duì)制造工藝提出更高標(biāo)準(zhǔn)

伴隨5g時(shí)代的半導(dǎo)體材料和電漿清洗機(jī)工藝發(fā)展,對(duì)制造工藝提出更高標(biāo)準(zhǔn):
       伴隨著5g時(shí)代半導(dǎo)體材料和電漿清洗機(jī)工藝的不斷發(fā)展,對(duì)制造工藝提出了更高的標(biāo)準(zhǔn),尤其是對(duì)半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表層質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越高。造成這種現(xiàn)象的具體原因是,在當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中,晶圓芯片面表面的微粒和金屬材料其它雜物沾污會(huì)嚴(yán)重影響元器件的品質(zhì)和產(chǎn)能。目前仍有超過(guò)50%的材料因其表面沾污而丟失。

電漿清洗機(jī)

       半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)過(guò)程中,幾乎每一道工序都要進(jìn)行清洗,晶圓芯片清洗品質(zhì)的優(yōu)劣嚴(yán)重影響著元器件的性能。正因?yàn)樾酒逑词前雽?dǎo)體制造過(guò)程中最重要、最頻繁的工序,而其工藝品質(zhì)直接影響著設(shè)備的成品率、性能和可靠性,因此國(guó)內(nèi)外各大公司、研究所都對(duì)清洗工藝進(jìn)行了大量的研究。等離子清洗是1種先進(jìn)的干式清洗工藝,有著環(huán)保節(jié)能等特性,隨之微電子技術(shù)行業(yè)的迅速發(fā)展,等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體材料工業(yè)中的用途日漸增加。
       例如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等都是半導(dǎo)體材料工藝中常見(jiàn)的金屬材料其它雜物,其源頭具體有:各種器皿、管道、實(shí)驗(yàn)試劑,及其半導(dǎo)體材料小圓環(huán)加工過(guò)程中,在形成金屬材料互連的同時(shí),還產(chǎn)生各種金屬材料環(huán)境污染。這種其它雜物的脫除通常采用電漿清洗機(jī),由各種試劑和化學(xué)品配制的清洗液與金屬材料離子反應(yīng)生成金屬離子的絡(luò)合物,從片面分離開(kāi)來(lái)。
氧化物,與氧和水接觸的環(huán)境中,半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表面會(huì)形成一層天然氧化物。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體材料電漿清洗機(jī)制造過(guò)程的多個(gè)步驟,而且還含有某些金屬材料其它雜物,在特定條件下,這些其它雜物會(huì)轉(zhuǎn)移到小圓環(huán)上形成電缺陷。這種氧化膜的脫除通常是用稀氫氟酸浸液來(lái)完成的。

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