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CRF plasma 等離子清洗機

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CRF-等離子處理機清洗原理、優(yōu)勢和作用分別都有解釋

CRF-等離子處理機清洗原理、優(yōu)勢和作用分別都有解釋:
       CRF等離子處理機清洗原理:經過化學或物理作用對工件表面進行清理,實現(xiàn)分子水平的污染源去除(一般厚度為幾個~幾十個nm)。被去除的污染源很有可能為有機物、環(huán)氧樹脂膠、光刻技術、氧化物、微顆粒污染物等。相應不同類型的污染源,應選擇不同的清洗工序。依照清洗原理可分為:物理清洗和化學清洗。

等離子處理機


        CRF等離子處理機的優(yōu)越性:等離子清洗工序能夠獲得真正的清洗;與等離子清洗相比,水洗清洗通常只是一種稀釋過程;與C02清洗技術相比,等離子清洗不需要耗費其它材料;與噴砂清洗相比,等離子清洗可以處理材料的完整表面結構,而不僅僅是表層突出部分;可以在線集成,無需額外空間;低運行成本,環(huán)保的預處理工序。
        CRF等離子處理機作用于材料表面,使表面分子的化學鍵重新結合,形成新的表面特征。對于某些特殊材料,等離子處理機的輝光放電不僅提高了材料的附著力、相容性和潤濕性,而且對其進行了消毒。對于等離子體的處理時間,離子體處理聚合物表面的交聯(lián)、化學改性和蝕刻主要是由于等離子體斷開聚合物表面分子,產生大量的自由基。實驗表明,隨著等離子體處理時間的延長,放電功率增加,自由基強度增加,達到一定值后進入動態(tài)平衡較大,即低溫等離子體在特定條件下對聚合物表面反應較深。


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